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腔面非注入区技术在808 nm GaAs/AlGaAs激光二极管列阵中的应用
在808nm GaAs/AlGaAs激光二极管列阵的前后腔面两端约25mm长的区域进行氦离子注入,使p型GaAs获得高的电阻率,形成腔面电流非注入区......
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